Samsung Electronics prepara un cambio profundo en su negocio de encapsulado de chips. Según informa MyDrivers, la compañía terminará de forma gradual con la producción de encapsulado de procesadores móviles (AP) Exynos en su planta de Cheonan, en la provincia de Chungcheong del Sur, y reconvertirá ese equipamiento en líneas dedicadas a la memoria de alto ancho de banda (HBM).
El movimiento refleja una prioridad clara: en pleno auge de la inteligencia artificial, la memoria HBM resulta más rentable y estratégica que el encapsulado de los chips que la propia Samsung diseña para sus móviles.
De Exynos a HBM: un relevo planificado
El cambio no será inmediato ni total para la generación actual. El Exynos 2600, que llegará a algunos modelos de la serie Galaxy S26 y al Galaxy Z Flip 8, se seguirá produciendo en Cheonan. La diferencia está en los pasos siguientes: las próximas generaciones ya no contarán con una línea de encapsulado dedicada en esa planta.
El Exynos 2700 trasladará su etapa de encapsulado a la fábrica de Onyang. Según la información recogida por el medio, Onyang dispone de parte del equipamiento de encapsulado a nivel de oblea (WLP), pero no de una línea completa, lo que convierte a Cheonan en la opción natural para especializarse en HBM.
Adiós a la FO-WLP en los próximos Exynos
El ajuste se vincula a un replanteo de la estrategia de encapsulado. Samsung estudia dejar de utilizar, a partir del Exynos 2700, la tecnología de encapsulado a nivel de oblea con salida en abanico (FO-WLP) que emplearon las dos generaciones anteriores.
Esa técnica mejora la disipación de calor, pero su complejidad de proceso y el coste de rendimiento encarecen la fabricación. Desde el punto de vista de la rentabilidad, la compañía considera necesario buscar una estructura de encapsulado distinta para sus futuros procesadores móviles.
La carrera por ampliar la capacidad de HBM
Mientras reduce su apuesta por el encapsulado de Exynos, Samsung acelera la expansión de la HBM. Desde 2024 arrienda espacio en un edificio en desuso de Samsung Display, en el tercer polígono industrial de Cheonan, para ampliar la capacidad de encapsulado avanzado de memoria.
Las líneas C1, C2 y C3 de la planta de Cheonan ya trabajan a plena carga en el apilado de HBM. La hoja de ruta contempla elevar la capacidad mensual de termocompresión (TCB) hasta 231.000 unidades antes de que termine 2026 y la de unión híbrida de cobre (HCB) hasta 19.500 unidades mensuales, con el objetivo de completar para 2029 la migración del apilado de HBM desde TCB hacia HCB.
En paralelo, Samsung impulsa una estrategia de doble vía: prevé finalizar este año una nueva fábrica en Onyang para el encapsulado avanzado de HBM y aliviar la presión sobre Cheonan. También baraja trasladar a Vietnam parte de la capacidad de proceso final de memoria genérica de las plantas de Cheonan y Onyang, para concentrar en Corea del Sur la producción de productos de mayor valor añadido como la HBM.
