El laboratorio independiente HOMOLAB ha sometido a prueba el almacenamiento del iPhone 18 Pro Max de 1 TB y el resultado dibuja una curva incómoda: el teléfono es rapidísimo en ráfagas y en lectura, pero cuando la escritura se prolonga y se agotan sus colchones de caché, la velocidad se derrumba hasta quedar por debajo de muchas tarjetas microSD baratas. La conclusión encaja con la polémica abierta la semana pasada sobre el uso de memoria QLC en la versión de 1 TB, aunque esta vez no se discute qué chip lleva, sino cómo se comporta bajo carga real.
HOMOLAB comparó el modelo de 1 TB, con memoria QLC, con un iPhone 18 Pro de 512 GB con memoria TLC. Es decir, puso frente a frente las dos tecnologías de almacenamiento que Apple combina según la capacidad del equipo: la QLC guarda cuatro bits por celda y la TLC, tres, una diferencia que permite más capacidad en el mismo espacio físico a cambio de menos velocidad y menos resistencia.
Qué encontró HOMOLAB en el iPhone 18 Pro Max
En la prueba ponderada de lectura 4K, los dos teléfonos quedaron cerca: el modelo QLC obtuvo 46.045 puntos frente a los 51.282 del TLC. La distancia se abre cuando se mezclan lecturas y escrituras. Con colas poco profundas, el TLC se adelanta alrededor de un 38 %; a medida que la carga sube, la ventaja se estrecha hasta quedar en torno al 12 %. Para el uso cotidiano, ese tramo es el menos preocupante.
El problema aparece en otro escenario. Como la mayoría de los móviles modernos, el iPhone 18 Pro Max reserva una caché SLC de alta velocidad para absorber las escrituras repentinas: mientras hay margen, supera los 3.000 MB/s. Esa cifra es la que se ve en un test corto con el teléfono recién estrenado, y no representa lo que ocurre cuando el archivo es grande.
Los tres escalones de la escritura
La prueba deja ver una escalera de rendimiento con tres niveles bien diferenciados:
- Caché SLC. Es la fase rápida, por encima de los 3.000 MB/s. Su tamaño es limitado y se consume enseguida con escrituras grandes.
- Búfer pTLC. Cuando la caché se agota, el teléfono recurre a una segunda zona que simula TLC. La media cae a 578 MB/s, con una dispersión muy alta.
- Escritura directa a QLC. Cuando también se llena ese búfer, los datos van a la memoria en su modo nativo de cuatro bits: 79,4 MB/s de media y un mínimo de 25,6 MB/s.
Ese último escalón es el que HOMOLAB señala como el más problemático, porque queda al nivel o por debajo de tarjetas de almacenamiento extraíble muy económicas. La gráfica de la prueba también identifica el componente analizado como una memoria Kioxia BICS8Q de 2 Tb y describe su estrategia de recolección de basura como especialmente agresiva, con una dispersión de IOPS muy elevada.
El disco lleno agrava la caída
El segundo hallazgo es que el rendimiento no es constante: depende de cuánto espacio libre quede. Con el teléfono al 60 % de ocupación, la caché SLC disponible se reduce de unos 250 GB en vacío a solo 58 GB. El búfer pTLC baja a 396 MB/s de media y la escritura nativa en QLC cae a 45 MB/s de media, con un mínimo de 1,1 MB/s. En ese punto, la comparación con los SSD UFS 4.0 con TLC que montan otros teléfonos de gama alta es claramente desfavorable.
El patrón es conocido en el mundo de la memoria flash: cuanto menos espacio libre hay, menos bandas puede reasignar el controlador, menos margen existe para reservar caché y peor se comporta la amplificación de escritura. La novedad aquí es que se pone cifra a ese efecto en un teléfono de gama alta y con la capacidad más cara.
Qué cambia para el usuario
Para quien usa el móvil para mensajería, navegación y fotos sueltas, la diferencia es difícil de notar: son escrituras cortas que la caché absorbe sin que el usuario llegue a ver el escalón lento. El escenario cambia con grabación de vídeo 4K o ProRes durante varios minutos, transferencias de archivos grandes o copias de seguridad y restauraciones, justo las tareas para las que se suele comprar un modelo de 1 TB o más.
Dos matices evitan sacar conclusiones de más. El primero es que todos los datos proceden de un único laboratorio; Apple no publica las cifras de velocidad sostenida ni el tipo de NAND por capacidad. El segundo es que la prueba no dice que el teléfono vaya a fallar, sino que su rendimiento en escrituras sostenidas está por detrás del de equipos con TLC. Quien priorice transferir y grabar mucho sobre el propio dispositivo tiene motivos para mirar con atención el modelo de 512 GB o, al menos, para no llenar el de 1 TB hasta el límite.
