Kioxia está desarrollando una nueva familia de productos de memoria flash pensada para que los centros de datos reduzcan su dependencia de la DRAM, cuyo coste no deja de subir empujado por las cargas de trabajo de la inteligencia artificial. La firma japonesa combina memorias NAND más rápidas con interfaces nuevas —SSD PCIe 6.0 y tecnología de expansión de memoria CXL— diseñadas para sistemas de IA que necesitan acceder a grandes volúmenes de datos.
El objetivo no es eliminar la DRAM, sino complementarla: la propia compañía no afirma que estos productos vayan a sustituirla por completo, según recoge TechRadar.
SSD PCIe 6.0 para la infraestructura de IA
Kioxia ya exhibe su serie GP1, SSD NVMe con interfaz PCIe 6.0 orientados a operaciones de entrada y salida muy intensivas dentro de los entornos de IA. Estas unidades permiten una comunicación directa entre las GPU y el almacenamiento, lo que reduce el tráfico de datos a través de las vías convencionales del sistema durante cargas de trabajo exigentes.
A la familia se suman la serie CM10, SSD empresariales basados en la décima generación de la memoria BiCS FLASH de Kioxia, y la serie NX1, unidades para centros de datos con formato E1.S, conectividad PCIe 5.0 y soporte para refrigeración líquida. Todas apuntan al mismo segmento: entornos donde el rendimiento y la gestión térmica condicionan cada vez más el diseño del almacenamiento.
El XL1, memoria flash con interfaz CXL
El desarrollo más llamativo es la serie XL1, un módulo de expansión de memoria compatible con CXL construido sobre la tecnología XL FLASH, de menor latencia. El módulo utiliza una interfaz CXL que transporta accesos a memoria a través de un enlace PCIe.
CXL permite conectar los dispositivos de memoria más cerca de los procesadores y añadir capacidad sin que cada byte tenga que residir en DRAM. Kioxia asegura que combinar NAND de alta velocidad con un controlador CXL reduce la latencia de lectura a menos de una décima parte de la de los productos NAND convencionales.
La compañía sitúa el XL1 en el hueco de rendimiento y coste que queda entre la DRAM tradicional y el almacenamiento SSD ordinario. Según Kioxia, sustituir parte de la DRAM de un sistema por módulos CXL puede duplicar la capacidad de memoria y, al mismo tiempo, mejorar el rendimiento en un 30 %.
Las unidades de evaluación se enviarán a socios tecnológicos durante agosto de 2026, y la empresa presentará estas tecnologías en la feria FMS 2026, en Santa Clara (California), con ponencias, sesiones técnicas y demostraciones en vivo.
Por qué importa
La apuesta de Kioxia responde a un problema estructural: la demanda de memoria de la IA encarece la DRAM y tensiona las cadenas de suministro globales. Mover parte de esas cargas a memoria flash conectada por CXL no elimina la DRAM —sigue siendo inherentemente más rápida—, pero ofrece una vía para ampliar la capacidad de los servidores de IA a un coste menor.
Para el lector, la señal es clara: la industria busca alternativas que alivien la escasez y el encarecimiento de la memoria, un fenómeno que ya se deja notar en el precio de algunos dispositivos de consumo. Queda por ver si módulos como el XL1 se consolidan como complemento habitual de la DRAM o si su impacto se limita, por ahora, a los centros de datos.
