La industria surcoreana de semiconductores empieza a mirar con inquietud hacia China en el terreno de la memoria HBM de alto ancho de banda. Según recoge MyDrivers, varios expertos coreanos estiman que la distancia tecnológica entre ambos países se ha estrechado hasta un rango de entre 2 y 6 años, y el escenario más ajustado deja la brecha en apenas dos años.
El matiz es importante: las empresas chinas aún no han alcanzado una fase estable de producción en volumen de la HBM más avanzada. Pero la experiencia acumulada en DRAM genérica les sirve de trampolín, y el ritmo de la persecución se ha acelerado hasta el punto de que en Seúl ya nadie habla de dormir tranquilo.
La brecha en HBM, experto por experto
El cálculo más ajustado lo firma el profesor Shin Chang-hwan, de la Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica de la Universidad de Corea: sitúa la diferencia en torno a los 2 años. Su argumento es estructural: los ciclos de relevo generacional de la HBM son más rápidos que los de la DRAM convencional, y China ya trabaja en las tecnologías de encapsulado necesarias para apilar la memoria.
Dos voces coinciden en los 3 años: el profesor Kim Yong-seok, de la escuela de semiconductores de la Universidad de Gachon, y el profesor Baek Seo-in, de la Universidad de Hanyang. Baek añade una advertencia: si China compite sin reparar en costes, la brecha podría recortarse un año más.
La lectura más detallada llega de Choi Jung-dong, vicepresidente sénior de TechInsights. Solo por generación de producto, la distancia es de una a dos generaciones; pero si se suman el rendimiento de fabricación en volumen, el apilado y la gestión térmica, el codiseño con los clientes y la certificación para aceleradores de IA, la brecha real del ecosistema se va a los 4 o 5 años. Su previsión: China alcanzaría el nivel actual de Corea hacia 2030, y la igualada en la HBM más avanzada no llegaría antes de 2032 o 2034.
El extremo prudente lo pone el profesor Kwon Seok-joon, del departamento de Ingeniería Química de la Universidad de Sungkyunkwan: al comparar las fases de desarrollo y producción en volumen de CXMT con los hitos que recorrieron en su día las empresas coreanas, calcula unos 6 años de diferencia.
La DRAM genérica, la base de la remontada
Los expertos señalan que la verdadera plataforma de despegue está en la memoria convencional. La brecha estimada en DRAM se mueve entre los 2 y los 4 años: Choi la cifra en unos 2 años si solo se mira la miniaturización de la celda, y en unos 3 años al incluir rendimiento, coste, fiabilidad a largo plazo y certificación de clientes.
Kim Yong-seok pide vigilancia inmediata sobre la DDR4 y la DDR5 genéricas: si China gana cuota y beneficios en esos segmentos mediante ampliaciones de capacidad, reinvertirá esos ingresos en el desarrollo de productos avanzados. Es el mismo manual que ya se vio en otros segmentos del hardware.
El contexto de mercado acompaña la preocupación: la demanda de HBM para aceleradores de IA mantiene los precios bajo presión y la última lectura apunta a una nueva subida del 42 %, así que cada punto de cuota que cambie de manos tiene un valor estratégico enorme.
Qué significa la pugna por la HBM para el lector
Para quien compra memoria o hardware que la integra, el mensaje es doble. A corto plazo, el liderazgo coreano en HBM avanzada sigue intacto: Samsung y SK Hynix conservan la ventaja en volumen, rendimiento y certificación con los grandes clientes de IA. A medio plazo, la competencia china presiona primero donde más se nota en el bolsillo, la DRAM genérica, y eso puede traducirse en más oferta y precios contenidos en DDR4 y DDR5.
La cita que resume el momento la pone la propia prensa china: Seúl ya no puede permitirse la complacencia. La HBM decide quién alimenta a la IA, y la carrera entre Corea y China acaba de entrar en su fase más rápida.
